浅沟槽隔离结构及形成方法，半导体器件结构及形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，半导体结构及其形成方法。其中，所述浅沟槽隔离结构包括：半导体基底；位于半导体基底上的第一外延层；位于第一外延层上的第二外延层；位于第二外延层、第一外延层和半导体基底内的浅沟槽主体区以及位于第一外延层内浅沟槽延伸区。所述浅沟槽隔离结构拥有高隔离性能，减小半导体器件中的漏电流的产生，提高半导体器件的性能及可靠性。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层至露出半导体基底，形成替代隔离结构；在替代隔离结构两侧形成侧墙；在半导体基底上形成第一外延层，所述第一外延层表面与替代隔离结构及侧墙表面齐平；去除替代隔离结构，形成第一开口；在第一开口内填充满外延硅锗层；在第一外延层、侧墙、外延硅锗层上形成第二外延层；在第二外延层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内具有贯穿其厚度的第二开口，所述第二开口的位置与第一开口的位置对应；以第二掩膜层为掩膜，沿第二开口刻蚀第二外延层、外延硅锗层和半导体基底，形成浅沟槽主体区沟槽；去除浅沟槽主体区沟槽侧壁剩余的外延硅锗层；向浅沟槽主体区沟槽以及被去除的外延硅锗层的位置内填充满绝缘层，所述绝缘层与侧墙构成浅沟槽隔离结构，侧墙作为浅沟槽隔离结构的浅沟槽延伸区。