发明名称 高速低功耗多阈值双边沿触发D型触发器
摘要 本发明公开了一种高速低功耗多阈值双边沿触发D型触发器,包括:低功耗控制电路,用来接收低功耗控制输入信号slp,对低功耗控制输入信号slp进行缓冲处理后分别输出信号:sleep和nsleep;正沿触发锁存器,用来接收数据信号d,正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk以及信号sleep和nsleep;正沿触发锁存器对数据信号d进行锁存处理后输出信号qtp;负沿触发锁存器,用来接收数据信号d,正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk以及信号sleep和nsleep;负沿触发锁存器对数据信号d进行锁存处理后输出信号:qtn;低功耗输出控制电路,用来选择输出正沿触发锁存器或负沿触发锁存器的值。本发明具有结构简单、可提高传输效率、降低静态漏电流和功耗等优点。
申请公布号 CN104601145B 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201510061574.4 申请日期 2015.02.06
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 胡封林;窦强;刘仲;陈跃跃;胡少飞;罗恒;许邦建;刘胜;刘宗林;吴家铸;申晖;黄健
分类号 H03K3/012(2006.01)I;H03K3/356(2006.01)I 主分类号 H03K3/012(2006.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人 周长清
主权项 一种高速低功耗多阈值双边沿触发D型触发器,其特征在于,包括:低功耗控制电路,用来接收低功耗控制输入信号slp,对低功耗控制输入信号slp进行缓冲处理后分别输出信号:sleep和nsleep;正沿触发锁存器,用来接收数据信号d,正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk以及信号sleep和nsleep;正沿触发锁存器在正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制下对数据信号d进行锁存处理后输出信号qtp;负沿触发锁存器,用来接收数据信号d,正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk以及信号sleep和nsleep;负沿触发锁存器在正相时钟输入信号clk、反相时钟输入信号nclk的控制下对数据信号d进行锁存处理后输出信号:qtn;低功耗输出控制电路,用来在正相时钟输入信号clk为高电平,反相时钟输入信号nclk为低电平时,负沿触发锁存器采样数据信号d,选择输出正沿触发锁存器的值;在正相时钟输入信号clk为低电平,反相时钟输入信号nclk为高电平时,正沿触发锁存器采样数据信号d,选择输出负沿触发锁存器的值;所述正沿触发锁存器包括:G1电路,为C<sup>2</sup>MOS电路,由高阈值PMOS管P9,低阈值PMOS管LP1,低阈值NMOS管LN1和高阈值PNOS管N9组成,低阈值PMOS管LP1,低阈值NMOS管LN1的栅极连接数据d,高阈值PMOS管P9的栅极连接sleep,源极连接Vdd,高阈值NMOS管N9的栅极连接nsleep,源极连接Vss;G1电路的输出连接G2电路的CMOS传输门的源极;G2电路,由低阈值PMOS管LP2,低阈值NMOS管LN2组成,低阈值PMOS管LP2的栅极连接clk,低阈值NMOS管LN2的栅极连接nclk,G2 的CMOS传输门的漏极与G3电路,G4电路,G6电路相连接;G3电路,为C<sup>2</sup>MOS电路,由高阈值PMOS管P10,低阈值PMOS管LP3,低阈值NMOS管LN3和高阈值NMOS管N10组成,低阈值PMOS管LP3,低阈值NMOS管LN3的栅极连接G2 电路的CMOS传输门漏极的输出,高阈值PMOS管P10的栅极连接sleep,源极连接Vdd,高阈值NMOS管N10的栅极连接nsleep,源极连接Vss;G3电路的输出是qtp,同时与G4电路的输出以及G5电路的输入相连;G4电路,G5电路,G6电路组成一个反馈保持电路,G4电路,G5电路是高阈值管组成的反相器,G6电路是低阈值管组成的CMOS传输门;G4电路的栅极输入连接G2电路的CMOS传输门漏极的输出,高阈值PMOS管P11的源极接Vdd,高阈值NMOS管N11的源极接Vss,G4电路的输出与qtp相连,同时作为G5电路的栅极输入;G5电路的栅极连接G4的输出,高阈值PMOS管P12的源极接Vdd,高阈值NMOS管N12的源极接Vss,G5电路的输出与G6电路的CMOS传输门的源极相连;G6电路的CMOS传输门的源极与G5电路的输出相连,G6电路的CMOS传输门的漏极与G2 电路的CMOS传输门漏极的输出相连,同时与G3电路的低阈值管的栅极相连,又与G4电路的输入相连,低阈值PMOS管LP4的栅极接nclk,低阈值NMOS管LN4的栅极接clk;G13电路,是低阈值管组成的CMOS传输门,G13 电路的CMOS传输门的源极输入是qtp, G13 电路的CMOS传输门的漏极输出qt,低阈值PMOS管LP17的栅极接nclk,低阈值NMOS管LN17的栅极接clk。
地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学计算机学院微电子与微处理器研究所