一种大开关比场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种大开关比场效应晶体管的制备方法，其特征在于，按下述步骤进行：①采用机械剥离法制备石墨烯薄片和二硫化钨薄片，选取带有氧化层的单晶硅片作为衬底，将石墨烯薄片、二硫化钨薄片、石墨烯薄片依次转移到衬底上，形成石墨烯异质结；②在石墨烯异质结上均匀旋涂光刻胶，再将掩膜版上图形通过曝光转移到光刻胶上，并采用电子束蒸镀沉积Ti/Au金属得到Ti/Au电极，制得基于石墨烯异质结的隧穿场效应晶体管。本发明结合了石墨烯的高载流子迁移率和过渡金属硫化物的带隙，以石墨烯和二硫化钨组成的异质结构作为沟道材料，获得高响应速度和大开关比的场效应晶体管。

主权项

一种大开关比场效应晶体管的制备方法，其特征在于，按下述步骤进行：①采用机械剥离法制备石墨烯薄片和二硫化钨薄片，选取带有氧化层的单晶硅片作为衬底，将石墨烯薄片、二硫化钨薄片、石墨烯薄片依次转移到衬底上，形成石墨烯异质结；②在石墨烯异质结上均匀旋涂光刻胶，再将掩膜版上图形通过曝光转移到光刻胶上，并采用电子束蒸镀沉积Ti/Au金属得到Ti/Au电极，制得基于石墨烯异质结的隧穿场效应晶体管。