基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑

摘要

本发明提供基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下，辅助开关中的6K个机械开关可以省略。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制。

主权项

基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的半桥/全桥混联MMC模型，A、B、C三相每个桥臂分别由K个半桥子模块、N‑K个全桥子模块及1个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个辅助开关（6K个机械开关，6N‑6K个IGBT模块），6N+7个钳位二极管，4个辅助电容C₁、C₂、C₃、C₄，2个辅助IGBT模块T₁、T₂构成的自均压辅助回路。