超大功率垂直芯片的集成封装结构

摘要

本实用新型属于半导体照明器件技术领域，具体为超大功率垂直芯片的集成封装结构。该集成封装结构中，大功率垂直芯片的负极焊盘与基板电极之间采用金属箔片来连接，实现了芯片的大电流稳定负载以及高导热性能。封装基板包括正极导电板、负极导电板和两者之间的绝缘导热层；垂直芯片的负极焊盘与金属箔片之间、金属箔片与负极导电板之间、芯片正极与正极导电板之间全部采用共晶焊接。本封装结构用金属箔片取代了连接芯片负极与封装基板负极的金线或铝线，解决了LED芯片与封装基板之间大电流传导的难题，提高了封装的散热性能，实现了可靠的高功率密度封装，可用于超大功率LED紫外、可见和红外照明系统。

主权项

一种超大功率垂直芯片的集成封装结构，其特征在于：所述封装结构的基板包括负极导电板、正极导电板和两者之间的绝缘导热层；垂直芯片上方出光面的负极焊盘与负极导电板之间采用金属箔片进行连接；垂直芯片下方的正极与正极导电板之间共晶焊接。