ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の形成されたウエハ及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子,申请号JP20130177108-传众专利搜索

发明名称	ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の形成されたウエハ及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子
摘要
申请公布号	JP5895908(B2)	申请公布日期	2016.03.30
申请号	JP20130177108	申请日期	2013.08.28
申请人	豊田合成株式会社	发明人	奥野浩司;新田州吾;齋藤義樹;牛田泰久;中田尚幸;坊山晋也
分类号	C30B29/38;H01L21/205	主分类号	C30B29/38
代理机构		代理人
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