发明名称 |
半导体芯片、发光器件和制造半导体芯片的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体芯片、发光器件和制造半导体芯片的方法,该半导体芯片包括至少一个第一区域和至少一个第二区域。该至少一个第一区域被配置成发射具有至少第一波长的光。该至少一个第二区域被配置成发射具有至少第二波长的光,第二波长与第一波长不同。 |
申请公布号 |
CN102263172B |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201110144449.1 |
申请日期 |
2011.05.31 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金泽 |
分类号 |
H01L33/18(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B82Y20/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L33/18(2010.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
屈玉华 |
主权项 |
一种半导体芯片,包括:多个第一区域,配置成发射具有至少第一波长的光,所述多个第一区域包括多个第一发光结构,该多个第一发光结构布置成所述多个第一发光结构中相邻的第一发光结构的基底之间具有第一间隙;以及多个第二区域,具有平坦表面和多个第二发光结构两者之一,所述平坦表面垂直于所述多个第一发光结构的突起方向,所述多个第二发光结构彼此相邻地布置,所述多个第二区域被配置成发射具有至少第二波长的光,所述第二波长与所述第一波长不同,其中所述多个第一区域和多个第二区域在基板上交替地布置,其中所述第一间隙和所述平坦表面低于所述多个第一发光结构。 |
地址 |
韩国京畿道 |