发明名称 |
一种高导磁率低磁芯损耗软磁铁氧体材料 |
摘要 |
本发明涉及一种软磁铁氧体材料,包括主成分和添加剂,其中,主成分按照摩尔百分比包括:50.5~57mol%的Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、31~39mol%的MnO和7~15mol%的ZnO;添加剂按照占所述软磁铁氧体材料的重量百分比计包括:20~80ppm的SiO<sub>2</sub>、100~500ppm的CaO、250~600ppm的Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、400~1000ppm的Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和150~400ppm的V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>。所述软磁铁氧体材料采用常规原材料,成本较低,并且具有较高的导磁率和较低的磁芯损耗。 |
申请公布号 |
CN102938281B |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201210436157.X |
申请日期 |
2012.11.05 |
申请人 |
天长市中德电子有限公司 |
发明人 |
李前军;蔡中德;沈建元;王晓祥;王步猛;徐升宝;陆明兵;蔡春桥;陈维兆 |
分类号 |
H01F1/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01F1/34(2006.01)I |
代理机构 |
合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 |
代理人 |
刘勇 |
主权项 |
一种软磁铁氧体材料,包括主成分和添加剂,其中,主成分按照摩尔百分比包括:50.5~57mol%的Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、31~35.5mol%的MnO和9.1~15mol%的ZnO;添加剂按照占所述软磁铁氧体材料的重量百分比计包括:20~49ppm的SiO<sub>2</sub>、100~500ppm的CaO、250~600ppm的Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、400~500ppm的Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和150~400ppm的V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>。 |
地址 |
239300 安徽省滁州市天长市天冶路98号 |