发明名称 |
正极及蓄电装置的制造方法 |
摘要 |
所公开的发明的一个方式的目的是:抑制钴酸锂被分解而产生分解生成物;抑制钴酸锂中的氧与集电体起反应;以及得到充放电容量大的蓄电装置。一种蓄电装置的制造方法,包括如下步骤:在通过以钴酸锂为靶材且使用Ar作为溅射气体的溅射法在正极集电体上形成钴酸锂层时,在使钴酸锂的结晶呈c轴取向且不产生氧化钴的温度下加热该正极集电体,其中该正极集电体的加热温度为400℃以上且低于600℃。 |
申请公布号 |
CN102738516B |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201210124226.3 |
申请日期 |
2012.04.13 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
栗城和贵 |
分类号 |
H01M10/058(2010.01)I;H01M4/1391(2010.01)I;H01M4/525(2010.01)I |
主分类号 |
H01M10/058(2010.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
林毅斌;李进 |
主权项 |
一种蓄电装置的制造方法,包括如下步骤:边在400℃以上且低于600℃的温度下加热正极集电体,边通过使用包含钴酸锂的靶材和包含Ar的溅射气体的溅射法在所述正极集电体上形成钴酸锂层;在形成所述钴酸锂层之前,在衬底上形成所述正极集电体和负极集电体;形成与所述正极集电体接触且覆盖所述钴酸锂层的固体电解质层;形成与所述固体电解质层及所述负极集电体接触的负极活性物质层;以及形成与所述正极集电体及所述负极集电体接触且覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |