| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体器件的制造方法，包括：提供绝缘体上硅晶片，所述绝缘体上硅晶片包括硅基体、掩埋氧化物层和形成在掩埋氧化物层上的硅层；在所述硅层上形成掩膜；蚀刻所述硅层，且在所述蚀刻工艺后去除所述硅层上的所述掩膜，以形成FinFet器件的鳍；对所述鳍进行减薄处理。根据本发明，在对FinFet器件的鳍（Fin）进行图形化的过程中，可以提高光刻和蚀刻工艺的工艺窗口，可以实现具有更小特征尺寸的鳍。 | ||
| 申请公布号 | CN102956484B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201110241146.1 | 申请日期 | 2011.08.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;黄怡 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供绝缘体上硅晶片，所述绝缘体上硅晶片包括硅基体、掩埋氧化物层和形成在掩埋氧化物层上的硅层；在所述硅层上形成掩膜；蚀刻所述硅层，且在所述蚀刻工艺后去除所述硅层上的所述掩膜，以形成FinFet器件的鳍；对所述鳍进行减薄处理，其中，所述减薄处理包括：对形成有所述鳍的绝缘体上硅晶片进行氧化处理，以及去除所述氧化处理后形成的被氧化的表层，所述减薄处理循环进行，所述循环进行的次数为1‑10次。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||