| 发明名称 | 多层陶瓷电子元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种多层陶瓷电子元件及其制造方法。本发明中，覆盖区域内的陶瓷颗粒的平均直径D<sub>C</sub>小于工作区域内的陶瓷颗粒的平均直径D<sub>a</sub>，并且当所述覆盖区域的厚度表示为T<sub>C</sub>时，满足9μm≤TC≤25μm和T<sub>C</sub>/D<sub>C</sub>≥55。可以得到一种具有优良的耐湿性能的多层陶瓷电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN103227049B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201210438932.5 | 申请日期 | 2012.11.06 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 金孝政;尹硕晛;金昶勋;李炳华;权祥勋 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 施娥娟;桑传标 |
| 主权项 | 一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷本体；外电极，该外电极形成在所述陶瓷本体的外表面；以及内电极，该内电极与所述陶瓷本体内的陶瓷层层压，每个所述陶瓷层插设在所述内电极之间，其中，所述陶瓷层包括具有第一平均直径D<sub>a</sub>的第一陶瓷颗粒，且所述第一陶瓷颗粒与相邻的内电极的相面对的面直接物理接触，所述陶瓷本体包括工作区域和覆盖区域，所述工作区域在最上方的内电极和最下方的内电极之间，所述覆盖区域形成在所述工作区域的上方或下方，所述覆盖区域包括具有第二平均直径D<sub>C</sub>的第二陶瓷颗粒，并且形成在所述工作区域的上方或下方的所述覆盖区域内的所述第二陶瓷颗粒的所述平均直径D<sub>C</sub>小于所述工作区域内的所述第一陶瓷颗粒的所述平均直径D<sub>a</sub>，当所述覆盖区域的厚度表示为T<sub>C</sub>时，满足9μm≤T<sub>C</sub>≤25μm和T<sub>C</sub>/D<sub>C</sub>≥55。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||