| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层；在第一刻蚀阶段内，以所述掩膜层为掩膜，采用博世刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，形成通孔，所述博世刻蚀工艺包括循环进行的多个处理周期，每个处理周期包括一个刻蚀步骤和一个沉积步骤，一个处理周期的总时间为博世刻蚀的循环时间，所述博世刻蚀的循环时间大于或等于10s，使得在刻蚀过程中，随着所述通孔的深度不断增加，所述通孔的顶部宽度始终大于掩膜层的开口宽度。所述半导体结构的形成方法，可以提高通孔顶部侧壁的形貌质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103606534B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201310646324.8 | 申请日期 | 2013.12.03 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 黄秋平;卞祖洋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层；在第一刻蚀阶段内，以所述掩膜层为掩膜，采用博世刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，形成通孔，所述博世刻蚀工艺包括循环进行的多个处理周期，每个处理周期包括一个刻蚀步骤和一个沉积步骤，一个处理周期的总时间为博世刻蚀的循环时间，所述博世刻蚀的循环时间为10s～120s，使得在刻蚀过程中，随着所述通孔的深度不断增加，所述通孔的顶部宽度始终大于掩膜层的开口宽度。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||