发明名称 TFT阵列基板检测方法
摘要 本发明提供一种TFT阵列基板检测方法,通过拉曼光谱仪对所述TFT阵列基板进行检测,根据拉曼特征峰确定TFT阵列基板上的各物质的类型、组成、结晶质量和物质含量范围,从而确定TFT阵列基板的检测区内是否存在污染物、污染物的成分、晶体生长的质量及纯净程度,该检测方法耗时短、条件简单、灵敏度高,能够精确检测TFT阵列基板上的污染物的成分和来源,实时监控晶体生长的质量,提高TFT阵列基板洁净度,改善成膜质量,减少制程不良。
申请公布号 CN105445978A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201610056885.6 申请日期 2016.01.27
申请人 武汉华星光电技术有限公司 发明人 郑俊丰
分类号 G02F1/13(2006.01)I;G01N21/95(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G02F1/13(2006.01)I
代理机构 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人 林才桂
主权项 一种TFT阵列基板检测方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一TFT阵列基板(11),所述TFT阵列基板(11)设有检测区(13);步骤2、提供一拉曼光谱仪,所述拉曼光谱仪发出激光照射所述TFT阵列基板(11)的检测区(13);步骤3、提供一分析设备,所述拉曼光谱仪接收检测区(13)各物质的拉曼信号并传递给分析设备,所述分析设备根据各物质的拉曼信号的拉曼特征峰分析所述TFT阵列基板(11)的检测区(13)内的各物质的类型、组成、结晶质量和物质含量范围。
地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋