| 发明名称 | 一种集成电路、一种静电放电设备以及一种集成电路制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种PNP ESD集成电路，包括衬底，形成在衬底中的有源区，有源区包括至少一个第二导电类型的基区，形成在有源区中的多个第一导电类型的集电区，形成在有源区中的多个第一导电类型的发射区，和与多个发射区和多个集电区接触的局部互连层(LIL)，LIL包括形成在集电区上的散热鳍片接触以提高集电区的电流处理能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105448907A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510589960.0 | 申请日期 | 2015.09.16 |
| 申请人 | 恩智浦有限公司 | 发明人 | 阿尔伯特·扬·惠清;简·克拉斯 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种集成电路，其特征在于，包括：衬底；有源区，该有源区形成在衬底中；多个集电区，该多个集电区形成在有源区中；多个发射区，该多个发射区形成在有源区中；以及与多个发射区和多个集电区接触的局部互连层(LIL)，局部互连层包括形成在集电区上的散热鳍片接触以增强集电区的电流处理能力。 | ||
| 地址 | 荷兰埃因霍温高科技园区60 | ||