碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

首先，在n⁺型SiC基板(1)的正面上生长n^-型SiC外延层(2)。这时，在n⁺型SiC基板(1)的背面上也生长背面侧n^-型SiC升华层。接下来，通过磨削除去背面侧n^-型SiC升华层和n⁺型SiC基板(1)的背面的表面层。接下来，对在n⁺型SiC基板(1)的磨削后的背面的表面层产生的变质层进行化学机械研磨。接下来，在n⁺型SiC基板(1)的研磨后的背面形成镍膜。接下来，通过热处理使镍膜硅化而形成硅化镍层。接下来，在硅化镍层的表面上，依次堆叠钛膜、镍膜和银膜而形成背面电极。通过进行以上工序，能够抑制背面电极剥离。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：磨削工序，对包括碳化硅的半导体基板的背面进行磨削，从而将所述半导体基板的厚度减薄；除去工序，通过研磨或蚀刻来除去由于所述磨削工序而在所述半导体基板的背面的表面层产生的变质层；在所述除去工序后，在所述半导体基板的背面形成镍膜的工序；通过热处理使所述镍膜硅化而形成硅化镍层的工序；以及在所述硅化镍层的表面上形成金属电极的工序。