| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括下列步骤：首先，形成一叠层于位在一基板上的一底层上，此一叠层是由交替的多个牺牲层和多个绝缘层所构成；接着，同时形成贯穿叠层的多个第一孔洞和多个第二孔洞；在所形成的半导体结构中，第一孔洞和第二孔洞是至少在一排列方向上彼此等距地分离。 | ||
| 申请公布号 | CN105448925A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410436714.7 | 申请日期 | 2014.08.29 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，包括：形成一叠层于位在一基板上的一底层上，该叠层是由交替的多个牺牲层和多个绝缘层所构成；以及同时形成贯穿该叠层的多个第一孔洞和多个第二孔洞。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||