复合阶梯场板槽栅HEMT高压器件及其制作方法

摘要

一种复合阶梯栅浮空场板槽栅HEMT器件及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，掺杂层之上的两端分别设有源极和漏极，在栅电极和漏电级中间的AlGaN掺杂层上设有LiF层，在LiF层上设有阶梯浮空阶梯栅场板，阶梯从栅极到漏极方向逐渐升高；在该LiF层与栅电极之间设有有机绝缘介质层，在该有机绝缘介质层的源级一侧设有栅极槽，栅极槽内和有机绝缘介质层的上面设有ITO栅场板；在AlGaN掺杂层上面的裸露区域设有钝化层。本发明利用PTFE层和ITO阶梯栅场板优化了栅极由于曲率效应造成的电场峰，提高了击穿电压，减小了导通电阻。

主权项

一种复合阶梯场板槽栅HEMT高压器件，其特征在于，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上设有漏电极、源电极、有机绝缘介质层、LiF阶梯层、ITO阶梯场板和钝化层，在掺杂层之上的两端分别设有源电极和漏电极，在漏电极与源电极之间设有有机绝缘介质层，在有机绝缘介质层与源电极之间的有机绝缘介质层的旁边的AlGaN掺杂层的上面设有栅极凹槽，在该栅极凹槽内和有机绝缘介质层的上面设有ITO场板；在靠近漏电极处设有LiF阶梯层，LiF阶梯场板的阶梯自源电极至漏电极的方向依次升高，在LiF阶梯场板的上面设有浮空阶梯栅场板；在AlGaN掺杂层上面的其余区域淀积有钝化层。