| 发明名称 | 超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块，所述超薄IGBT芯片包括沟槽，在沟槽内设有多晶硅，在沟槽上设有用于密封多晶硅、具有压缩型表面张力的TEOS层，所述TEOS层上层叠有张力型表面张力层。本实用新型的结构简单、成本低，保证晶圆的形变最小或者不发生形变的同时提高晶圆的利用率。本实用新型适用于任意超薄IGBT芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN205122592U | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201520767211.8 | 申请日期 | 2015.09.30 |
| 申请人 | 河北昂扬微电子科技有限公司 | 发明人 | 步建康;徐朝军;李士垚 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所 13113 | 代理人 | 张红卫;刘谟培 |
| 主权项 | 一种超薄IGBT芯片，包括沟槽（11），在沟槽（11）内设有多晶硅（12），在沟槽（11）上设有用于密封多晶硅（12）、具有压缩型表面张力的TEOS层（13），其特征在于：所述TEOS层（13）上层叠有张力型表面张力层（14）。 | ||
| 地址 | 050000 河北省石家庄市裕华区淮安东路与翟营大街交叉口库财库商务国际 | ||