发明名称 |
一种具有可挠性介电层的内连线 |
摘要 |
本发明涉及一种具有双重镶嵌结构的集成电路组件,双重镶嵌结构包含具有一低介层窗部分和一高导线部分。低介层窗部分形成在一个聚酰亚胺层之内,高导线部分形成在由USG或聚酰亚胺所形成的内金属介电层上。保护层形成于内金属介电层上,以及一焊垫位于保护层之上以便能与高导线部分电性连接。在顶部介层窗阶或次顶部介层窗阶应用可挠性薄膜,能释放应力以减少或避免下层低介电常数内金属介电层碎裂的产生。 |
申请公布号 |
CN102074549B |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201010151859.4 |
申请日期 |
2010.04.19 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
罗清郁;林伯俊;陈海清;包天一;眭晓林;余振华 |
分类号 |
H01L23/532(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/532(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,包括:多个介电层形成覆盖于至少包含一个主动组件的一半导体基底之上,该多个介电层包括介电常数小于3.0的介电材料;至少一第一内金属介电层在该多个介电层之上,该至少一第一内金属介电层包含一个由导电材料所形成的一第一介层窗,该第一内金属介电层由一聚合物材料所形成,该聚合物材料为聚酰亚胺,该聚合物材料的弹性模量>3Gpa,该聚合物材料的热膨胀系数小于25ppm/℃;以及至少一第二内金属介电层在该至少一第一内金属介电层之上,该至少一第二内金属介电层包括填充着导电材料的一第一沟渠所形成的一第一导线,该第一导线与第一介层窗电性连接,该至少一第二内金属介电层由无掺杂硅酸玻璃所形成,该至少一第二内金属介电层比该至少一第一内金属介电层适合抛光。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 |