导电通路、使用该导电通路的半导体装置以及它们的制造方法

摘要

本发明公开了一种导电通路。该导电通路包括由第一金属制成且具有通孔(13)的第一导电通路形成板(11)、以及由第二金属制成且具有被压入通孔内的压入部(17)的第二导电通路形成板(15)。通孔的壁面和压入部的侧面形成相对于第一导电通路形成板和第二导电通路形成板彼此的重叠面的法线倾斜的倾斜接合面(18)，在该倾斜接合面的附近区域形成有由金属流动产生的接合部(25)。

主权项

一种导电通路，该导电通路包括：由第一金属制成，具有孔部的第一导电通路形成板；以及由第二金属制成，具有压入所述孔部内的压入部的第二导电通路形成板，其特征在于：在所述孔部的壁面和所述压入部的侧面形成有倾斜接合面，该倾斜接合面相对于所述第一导电通路形成板与所述第二导电通路形成板彼此的重叠面的法线倾斜；在所述倾斜接合面的附近区域形成有：发生了塑性流动的所述孔部及所述压入部的相互的新生面彼此所接合的接合部；在所述第二导电通路形成板上除所述倾斜接合面及所述压入部的前端侧的表面以外的区域形成有由第三金属制成的镀膜，所述第三金属的硬度比所述第一金属和所述第二金属的氧化物的硬度大，在所述由塑性流动产生的接合部，由所述第三金属形成的多个晶粒沿着所述倾斜接合面分散形成。