发明名称 |
铜互连结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种结构以及制造该结构的方法。该结构包括在基板上的电介质层;第一配线,形成在电介质层中的第一沟槽中,第一沟槽的侧壁和底部上的第一衬垫和第一铜层填充第一沟槽中的所有其余空间;第二配线,形成在电介质层中的第二沟槽中,第二沟槽的侧壁和底部上的第二衬垫和第二铜层填充第二沟槽中的所有其余空间;以及电迁移停止层,形成在电介质层中的第三沟槽中,第三沟槽的侧壁和底部上的第三衬垫和第三铜层填充第三沟槽中的所有其余空间,电迁移停止层位于第一和第二配线之间且邻接其各自端部。 |
申请公布号 |
CN103811464B |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201310548278.8 |
申请日期 |
2013.11.07 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
杨智超;M.A.伯根达尔;D.V.霍勒克;李保振;S.波诺思 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
一种铜互连结构,包括:在基板上的电介质层;形成在所述电介质层中的第一沟槽中的第一配线,所述第一沟槽的侧壁和底部上的第一衬垫和填充所述第一沟槽中的所有其余空间的第一铜层;形成在所述电介质层中的第二沟槽中的第二配线,所述第二沟槽的侧壁和底部上的第二衬垫和填充所述第二沟槽中的所有其余空间的第二铜层;以及形成在所述电介质层中的第三沟槽中的电迁移停止层,所述第三沟槽的侧壁和底部上的第三衬垫和填充所述第三沟槽中的所有其余空间的第三铜层,所述电迁移停止层位于所述第一配线和所述第二配线各自端部之间且与其邻接。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |