| 发明名称 | 制作具有底切侧壁的抗蚀剂结构的方法 | ||
| 摘要 | 方法包括以下步骤：将负性光致抗蚀剂层(2)施加在底层(1)上；为负性光致抗蚀剂层提供布置在要制作的抗蚀剂结构(3)的边界区(4)中的图案；根据要制作的抗蚀剂结构辐照负性光致抗蚀剂层的表面区域；以及去除受辐照表面区域外部的负性光致抗蚀剂层。以图案包括小于辐照的最小分辨率的尺寸的方式来制作该图案。该图案尤其可以被设计为次分辨率辅助图形。 | ||
| 申请公布号 | CN105452957A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201480044078.1 | 申请日期 | 2014.07.25 |
| 申请人 | ams有限公司 | 发明人 | 格哈德·埃尔姆斯泰纳;雷蒙德·霍夫曼 |
| 分类号 | G03F1/54(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/54(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杜诚;杨铁成 |
| 主权项 | 一种制作抗蚀剂结构的方法，包括：‑将负性光致抗蚀剂层(2)施加在底层(1)上；‑根据要制作的所述抗蚀剂结构(3)辐照所述负性光致抗蚀剂层(2)的表面区域(13)；‑去除受辐照表面区域(13)外部的所述负性光致抗蚀剂层(2)，从而形成所述抗蚀剂结构(3)；所述方法的特征在于：‑在所述负性光致抗蚀剂层(2)被辐照之前，在所述抗蚀剂结构(3)的边界区(4)中为所述负性光致抗蚀剂层(2)提供所述负性光致抗蚀剂层(2)内形成的图案(5)，所述图案(5)包括小于所述辐照的最小分辨率的尺寸或结构特征。 | ||
| 地址 | 奥地利乌恩特普雷姆斯塔特恩 | ||