一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成一硼氮缓冲层，以覆盖所述栅极结构；紫外线处理所述硼氮缓冲层，以驱除所述硼氮缓冲层中的氢元素；在所述半导体衬底上形成一应力材料层，以覆盖所述硼氮缓冲层；实施一退火过程；去除所述应力材料层和所述硼氮缓冲层。根据本发明，在实施应力记忆技术的过程中，可以在实施所述退火过程之前不去除覆盖于PMOS部分的应力材料层的同时避免由所述应力材料层中的氢原子导致产生的硼扩散现象的发生，从而避免了PMOS的性能下降。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成一硼氮缓冲层，以覆盖所述栅极结构；紫外线处理所述硼氮缓冲层，以驱除所述硼氮缓冲层中的氢元素；在所述半导体衬底上形成一应力材料层，以覆盖所述硼氮缓冲层；实施一退火过程，所述硼氮缓冲层起到在实施所述退火过程中避免由所述应力材料层中的氢原子诱导产生的硼扩散现象的发生的作用；去除所述应力材料层和所述硼氮缓冲层。