发明名称 一种脆性半导体材料的脆性裂片方法及系统
摘要 本发明公开了一种脆性半导体材料的脆性裂片方法及系统,所述方法包括:采用加热激光束对脆性半导体材料的待裂片部位内部快速加热,以使脆性半导体材料的待裂片部位内部膨胀形成压应力,同时对脆性半导体材料的待裂片部位表面进行快速冷却,以使脆性半导体材料的待裂片部位表面收缩形成拉应力,从而使得脆性半导体材料发生脆性断裂,形成光滑切口。通过本发明,能够完美地对脆性半导体材料裂片加工,相对于传统的脆性半导体材料的加工方式,能够获得极高的切口质量,维持脆性半导体材料的抗弯强度,提高脆性半导体材料的裂片效率。
申请公布号 CN105436712A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201510896233.9 申请日期 2015.12.07
申请人 武汉铱科赛科技有限公司 发明人 张立国
分类号 B23K26/38(2014.01)I;B23K26/402(2014.01)I;B23K26/70(2014.01)I 主分类号 B23K26/38(2014.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 陈卫
主权项 一种脆性半导体材料的脆性裂片方法,其特征在于,包括:采用加热激光束对脆性半导体材料的待裂片部位内部快速加热,以使脆性半导体材料的待裂片部位内部膨胀形成压应力,同时对脆性半导体材料的待裂片部位表面进行快速冷却,以使脆性半导体材料的待裂片部位表面收缩形成拉应力,从而使得脆性半导体材料发生脆性断裂,形成光滑切口;其中,所述脆性半导体材料对所述加热激光束光学透明或者部分光学透明,以使所述加热激光束能够进入所述脆性半导体材料内部,使得所述脆性半导体材料的待裂片部位内部吸收激光能量从而形成温升,同时,所述脆性半导体材料的待裂片部位内部被加热温度低于该脆性半导体材料塑性形变温度。
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