一种半导体器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供逻辑器件，所述逻辑器件包括逻辑元件和位于所述逻辑元件上的互连结构，其中，所述互连结构位于层间介电层中；步骤S2：图案化所述层间介电层，以在所述互连结构顶部之间的所述层间介电层中形成MEMS凹槽，以露出所述互连结构中的金属层；步骤S3：在所述MEMS凹槽中形成与所述金属层电连接的MEMS器件，以得到MEMS器件嵌于所述逻辑器件中的半导体器件。在本发明中通过将MEMS器件嵌于所述逻辑器件中不仅能够减小集成器件的尺寸，而且可以进一步提高器件的性能。

主权项

一种半导体器件，包括：逻辑器件，所述逻辑器件包括逻辑元件和位于所述逻辑元件上方并且与所述逻辑元件电连接的互连结构；MEMS器件，嵌于所述逻辑器件中，所述MEMS器件与所述互连结构电连接。