基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电阻及其金属导线。金属导线上下的氮化硅绝缘保护层及最外层的多晶硅结构层与单晶硅薄膜共同构成敏感芯片感压膜，感压膜边缘刻蚀八个方形孔，用于腐蚀二氧化硅牺牲层。四个应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥，将压力信号转换成电压信号输出。制备的基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片具有感器灵敏度高、重复性和稳定性好、可靠性高、耐高温、抗辐射以及制造工艺与集成电路工艺兼容等优点。

主权项

基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片，其特征在于：该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜SOI材料制造，包括SOI的单晶硅衬底（1），SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体（2），在单晶硅薄膜（3）上刻蚀隔离槽（4）形成的四个应变电阻（5）及其金属导线（6）；金属导线（6）上下的氮化硅绝缘保护层（7）及两次淀积形成的多晶硅结构层（8）与单晶硅薄膜（3）共同构成敏感芯片感压膜，感压膜边缘刻蚀有八个方形腐蚀孔（9），用于腐蚀二氧化硅牺牲层；四个应变电阻（5）通过金属导线（6）连接成惠斯通电桥，将压力信号转换成电压信号输出。