| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一凹槽深度小于所述隔离结构的深度；在所述第一凹槽内填充满第一半导体材料层，且第一半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的第一半导体材料层呈分立结构；在所述半导体衬底、隔离结构、第一半导体材料层上形成第一连接层；去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层。采用本发明的方法可以提高后续形成的半导体器件的有源区的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN105448830A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410425711.3 | 申请日期 | 2014.08.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 蒋莉 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华;吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一凹槽深度小于所述隔离结构的深度；在所述第一凹槽内填充满第一半导体材料层，且第一半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的第一半导体材料层呈分立结构；在所述半导体衬底、隔离结构、第一半导体材料层上形成第一连接层；去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||