| 发明名称 | 一种VDMOS器件及其漏极结构和制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种VDMOS器件及其漏极结构和制作方法，具体包括：在衬底层的背面刻蚀形成沟槽；在所述衬底层的背面及沟槽内生成金属层。本发明通过在衬底层的背面刻蚀沟槽，并使得背面的金属层或者金属硅化物层填充所述沟槽，增加了两者之间的接触面积，由此降低衬底电阻。由于无需使用超低电阻率衬底和超薄衬底，避免了使用复杂的工艺和设备，能够简化工艺、降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105448981A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410280381.3 | 申请日期 | 2014.06.20 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种垂直双扩散场效应晶体管VDMOS器件漏极结构的制作方法，其特征在于，包括：在衬底层的背面刻蚀形成沟槽；在所述衬底层的背面及沟槽内生成金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||