半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，包括NFET区域和PFET区域；在半导体衬底表面依次形成隔离层、牺牲层；刻蚀牺牲层和隔离层，形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽内形成第一过渡层；第一过渡层表面形成填充满第一凹槽和第二凹槽的第一半导体层；去除第二凹槽内的第一半导体层，在第二凹槽内形成第二过渡层，第二过渡层的表面低于隔离层的表面；在第二过渡层表面形成第二半导体层；去除牺牲层，暴露出第一半导体层和第二半导体层的部分侧壁；形成横跨第一半导体层的第一栅极结构和横跨第二半导体层的第二栅极结构。上述方法形成的半导体结构性能得到提高。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NFET区域和PFET区域；在所述半导体衬底表面依次形成隔离层、位于隔离层表面的牺牲层；刻蚀所述牺牲层和隔离层至半导体衬底表面，在所述PFET区域上形成第一凹槽，在所述NFET区域上形成第二凹槽；在所述第一凹槽和第二凹槽内形成第一过渡层；在所述第一过渡层表面形成填充满第一凹槽、第二凹槽的第一半导体层；去除所述第二凹槽内的第一半导体层，在所述第二凹槽内形成第二过渡层，所述第二过渡层的表面低于隔离层的表面；在所述第二过渡层表面形成第二半导体层；去除所述牺牲层，暴露出第一半导体层和第二半导体层的部分侧壁；形成横跨所述第一半导体层的第一栅极结构和横跨所述第二半导体层的第二栅极结构。