| 发明名称 | 互连结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种互连结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括下层介质层和位于所述下层介质层内的下层金属导电结构，所述下层金属导电结构的顶部表面与下层介质层的表面齐平；在所述下层介质层和下层金属导电结构表面形成顶层阻挡层；对所述顶层阻挡层进行紫外固化处理；在所述顶层阻挡层表面形成顶层介质层；在所述顶层介质层内形成顶层金属导电结构，所述顶层金属导电结构表面与顶层介质层表面齐平。上述方法可以提高形成的互连结构的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105448810A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410294750.4 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈林林;白凡飞 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括下层介质层和位于所述下层介质层内的下层金属导电结构，所述下层金属导电结构的顶部表面与下层介质层的表面齐平；在所述下层介质层和下层金属导电结构表面形成顶层阻挡层；对所述顶层阻挡层进行紫外固化处理；在所述顶层阻挡层表面形成顶层介质层；在所述顶层介质层内形成顶层金属导电结构，所述顶层金属导电结构表面与顶层介质层表面齐平。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||