发明名称 |
图像感测设备和固态图像感测装置 |
摘要 |
本申请公开了一种图像感测设备和固态图像感测装置。根据某些实施例,图像感测设备具有集电极、第二绝缘层、存储电极、第三绝缘层、半导体层、光电转换层和上电极。第二绝缘层被设置在集电极之上。第二绝缘层具有第一开口。存储电极被设置在第二绝缘层之上。存储电极具有与第一开口重叠的第二开口。第三绝缘层覆盖存储电极。第三绝缘层具有与第二开口重叠的第三开口。半导体层覆盖第二绝缘层和第三绝缘层。半导体层被埋入第一开口、第二开口和第三开口中。光电转换层被设置在半导体层之上。上电极被设置在光电转换层之上。 |
申请公布号 |
CN105448940A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201510507277.8 |
申请日期 |
2015.08.18 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
宫崎崇;舟木英之;饭田义典;高须勲 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
姬利永 |
主权项 |
一种图像感测设备,包括:集电极,被设置在第一绝缘层之上;第二绝缘层,被设置在所述集电极之上,所述第二绝缘层具有第一开口;存储电极,被设置在所述第二绝缘层之上,所述存储电极具有与所述第一开口重叠的第二开口;第三绝缘层,覆盖所述存储电极的上表面和侧表面,所述第三绝缘层具有与所述第二开口重叠的第三开口;半导体层,覆盖所述第二绝缘层和所述第三绝缘层,所述半导体层被埋入所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中;光电转换层,被设置在所述半导体层之上;以及上电极,被设置在所述光电转换层之上。 |
地址 |
日本东京 |