一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的隧道氧化层、浮栅、栅间介电层和控制栅，其中所述隧道氧化层的位于有源区边缘区域的部分的厚度大于所述隧道氧化层的位于有源区中心区域的部分的厚度。本发明的半导体器件由于隧道氧化层的位于有源区边缘区域的部分的厚度大于隧道氧化层位于有源区中心区域的部分的厚度，因此可以在保证Flash的编程和擦除效率的情况下改善Flash的读应力和擦除干扰表现。本发明的半导体器件的制造方法用于制造上述的半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置采用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的隧道氧化层、浮栅、栅间介电层和控制栅，其中，所述隧道氧化层的位于有源区边缘区域的部分的厚度大于所述隧道氧化层的位于有源区中心区域的部分的厚度。