| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底的第一区域内形成第一沟槽；在所述衬底的第二区域内形成第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底部表面形成第一衬垫层；对所述第一衬垫层进行氮化处理，在所述第一衬垫层内掺杂氮离子；在所述氮化处理工艺之后，去除第一区域的第一衬垫层；在去除第一区域的第一衬垫层之后，在所述第一沟槽的侧壁和底部表面形成第二衬垫层。所形成的半导体结构性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN105448914A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410432231.X | 申请日期 | 2014.08.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐宽;陈武佳 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底的第一区域内形成第一沟槽；在所述衬底的第二区域内形成第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底部表面形成第一衬垫层；对所述第一衬垫层进行氮化处理，在所述第一衬垫层内掺杂氮离子；在所述氮化处理工艺之后，去除第一区域的第一衬垫层；在去除第一区域的第一衬垫层之后，在所述第一沟槽的侧壁和底部表面形成第二衬垫层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||