| 发明名称 | 沟槽型MOSFET的制作方法、沟槽型MOSFET及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种沟槽型MOSFET的制作方法、沟槽型MOSFET及半导体器件。其中，该制作方法包括以下步骤：在半导体基体中形成沟槽；对沟槽进行离子注入以在沟槽底部的半导体基体中形成离子注入区，且注入离子的导电类型与半导体基体的导电类型相反；在沟槽中形成栅极结构。在该制作方法中，由于注入离子的导电类型与半导体基体的导电类型相反，因此该注入离子能够降低沟槽底部位置的电场强度，并能够将高电场强度区从沟槽底部位置转移到离子注入区中远离沟槽底部的位置，从而减少了栅极与半导体之间由于高电场强度导致的漏电流，进而提高了沟槽型MOSFET的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105448720A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410370501.9 | 申请日期 | 2014.07.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黄晨 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种沟槽型MOSFET的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在半导体基体中形成沟槽；对所述沟槽进行离子注入以在所述沟槽底部的所述半导体基体中形成离子注入区，且注入离子的导电类型与所述半导体基体的导电类型相反；在所述沟槽中形成栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||