| 发明名称 | 具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法 | ||
| 摘要 | 提供一种具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法。所述量子点发光二极管基板包括多个亚像素发光区域，其中每个亚像素发光区域包括发光层，所述发光层包括结合层和与所述结合层结合的量子点。所述量子点发光二极管基板可以以高的分辨率和方便的工艺制备，适合于大规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105449111A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201610012450.1 | 申请日期 | 2016.01.08 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李延钊;李重君;陈卓;张渊明 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云;沈斌 |
| 主权项 | 一种量子点发光二极管基板，其包括多个亚像素发光区域，其中每个亚像素发光区域包括发光层，所述发光层包括结合层和与所述结合层结合的量子点。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||