一种改善器件双峰效应的方法和半导体器件

摘要

本发明提供一种改善器件双峰效应的方法，将所述器件有源区的位于所述器件栅极多晶硅下方的区域沿着所述栅极多晶硅的长度方向拉宽，使所述有源区的边缘远离所述器件的导电沟道。本发明还提供一种半导体器件，所述半导体器件包括有源区和部分覆盖于所述有源区上的栅极区，位于所述栅极区下方的有源区的宽度大于其余有源区的宽度。根据本发明，在不需要增加新的工艺步骤进而不会增加制造成本的情况下，能够完全消除器件的双峰效应，不受到有源区的边缘形貌的限制，器件的可靠性也会有相应的提升。

主权项

一种改善器件双峰效应的方法，其特征在于，将所述器件有源区的位于所述器件栅极多晶硅下方的区域沿着所述栅极多晶硅的长度方向拉宽，使所述有源区的边缘远离所述器件的导电沟道。