发明名称 |
一种用于石墨热场表面的复合涂层及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于石墨热场表面的复合涂层,由内层SiC层和外层Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜组成,其特征在于SiC层厚度为10-100μm,Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜厚度为10-100nm。其具体制备步骤包括:(1)以石墨发热体加热炉体作为沉积炉,将其抽真空,真空度达到100Pa以下;(2)将石墨发热体加热炉内温度升高至900~1200℃;(3)以甲烷作为碳源,四氯化硅作为硅源,同时通入氢气和氩气,反应时间为10-30h后,停止通入甲烷、四氯化硅、氢气和氩气;(4)将石墨发热体加热炉内温度升高至1200~1500℃,通入氨气作为氮源,继续沉积1~10h,随后降温冷却,石墨热场材料表面出现SiC/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合涂层。本发明制备SiC涂层质量好,涂层制备过程不需要专用化学气相沉积设备,成本低,涂层厚度大且灵活可控且易于清理。 |
申请公布号 |
CN105439645A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201510992610.9 |
申请日期 |
2015.12.25 |
申请人 |
苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
发明人 |
陈照峰; |
分类号 |
C04B41/89(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/89(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种用于石墨热场表面的复合涂层,由内层SiC层和外层Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜组成,其特征在于SiC层厚度为10‑100μm,Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜厚度为10‑100nm。 |
地址 |
215400 江苏省苏州市太仓市城厢镇人民南路162号 |