| 发明名称 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的震荡膜材料层，其中，在所述震荡膜材料层中形成有若干开口，以露出所述第一牺牲材料层；步骤S2：沉积高K材料层并平坦化，以填充所述开口，形成震荡膜。本发明的优点在于：(1)增加Membrane的抗冲击能力。(2)完全避免了限位件(Stoper)结构对Membrane造成的缓冲损伤。(3)简化工艺流程，降低成本，提高产能。(4)改善了MEMS器件的提前失效现象。(5)引入了HK材料，提高/保持了MEMS器件的灵敏度(sensitivity)。 | ||
| 申请公布号 | CN105439078A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410389156.3 | 申请日期 | 2014.08.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超;李卫刚;王伟 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的震荡膜材料层，其中，在所述震荡膜材料层中形成有若干开口，以露出所述第一牺牲材料层；步骤S2：沉积高K材料层并平坦化，以填充所述开口，形成震荡膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||