一种半导体器件及其制作方法和电子装置

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法和电子装置，在半导体衬底上形成有硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和所述半导体衬底；在所述浅沟槽中填充隔离材料层；去除所述硬掩膜层以露出所述半导体衬底；在露出的所述半导体衬底上形成隧穿氧化物层；在所述半导体衬底上形成第一浮栅材料层；在所述半导体衬底上形成牺牲层；去除未覆盖有所述牺牲层的所述第一浮栅材料层；去除所述牺牲层；采用外延生长工艺在所述第一浮栅材料层上形成第二浮栅材料层。根据本发明的制作方法提供了良好的工艺窗口用于浅沟槽隔离结构氧化物层和浮置栅极多晶硅的形成；良好地控制了浮置栅极的轮廓；浮置栅极的物理轮廓有利于提高器件耦合率。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；在所述浅沟槽中填充隔离材料层，通过平坦化工艺使得所述隔离材料层的表面与所述硬掩膜的表面齐平；去除所述硬掩膜层以露出所述半导体衬底，在所述隔离材料层之间形成沟槽；在露出的所述半导体衬底上形成隧穿氧化物层；在所述半导体衬底上形成第一浮栅材料层，所述第一浮栅材料层覆盖所述隔离材料层和所述隧穿氧化物层；在所述半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层填充部分的所述沟槽；去除未覆盖有所述牺牲层的所述第一浮栅材料层，以露出所述隔离材料层；去除所述牺牲层，以露出所述第一浮栅材料层；采用外延生长工艺在所述第一浮栅材料层上形成第二浮栅材料层，以形成浮置栅极。