一种肖特基二极管的制造方法

摘要

本发明提供了一种肖特基二极管的制造方法，包括：在硅片的第一表面制成二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层形成硬掩膜；在所述二氧化硅层被刻蚀的部分进行光刻和刻蚀形成沟槽；利用覆盖所述硬掩膜和所述沟槽中间部分的掩膜板，在所述沟槽中形成栅极氧化层；在所述硬掩膜以及所述栅极氧化层的基础上制成多晶硅层；移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述沟槽外的多晶硅层；沉积金属并合金，制成第一金属层；对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，形成第一电极；在所述硅片与所述第一表面相对的第二表面上形成第二电极。本发明提供的方案极大的节约了制造成本和流程步骤，显著提高了肖特基二极管的生产效率。

主权项

一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅片的第一表面制成二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层形成硬掩膜；在所述二氧化硅层被刻蚀的部分进行光刻和刻蚀形成沟槽；利用覆盖所述硬掩膜和所述沟槽中间部分的掩膜板，在所述沟槽中形成栅极氧化层；在所述硬掩膜以及所述栅极氧化层的基础上制成多晶硅层；移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述沟槽外的多晶硅层；沉积金属并合金，制成第一金属层；对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，形成第一电极；在所述硅片与所述第一表面相对的第二表面上形成第二电极。