一种腔室环境的控制方法

摘要

本发明提供了一种腔室环境的控制方法，包括以下步骤：步骤S1，向腔室内通入预清洗气体，对腔室的内表面进行清洗；步骤S2，向腔室内通入第一气体，以在腔室内表面上沉积第一涂层，第一涂层不含氟；步骤S3，将待加工的基片传输至腔室内进行工艺，且在工艺完成后，将其移出腔室；步骤S4，向腔室内通入第二清洗气体，并将第二清洗气体激发形成等离子体，以去除在步骤S3中腔室内表面形成的副产物；步骤S5，向腔室内通入不含氟的第一清洗气体，并将第一清洗气体激发形成等离子体，以去除第一涂层来恢复所述腔室环境。该方法可以避免氟对腔室内表面腐蚀，还可使腔室从根本上消除氟记忆效应，因而实现每次工艺的腔室环境的一致性。

主权项

一种腔室环境的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，向腔室内通入预清洗气体，对腔室内表面进行清洗；步骤S2，向所述腔室内通入第一气体，以在所述腔室内表面上沉积第一涂层，所述第一涂层不含氟；步骤S3，将待加工的基片传输至所述腔室内进行工艺，且在所述工艺完成后，将其移出所述腔室；步骤S4，向所述腔室内通入第二清洗气体，并将所述第二清洗气体激发形成等离子体，以去除在所述步骤S3中腔室内表面形成的副产物；步骤S5，向所述腔室内通入不含氟的第一清洗气体，并将所述第一清洗气体激发形成等离子体，以去除所述第一涂层来恢复所述腔室环境。