CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器，包括：p型半导体基底；位于所述p型半导体基底内的n型阱；位于所述n型阱内的p型阱；位于所述p型阱内的浅沟槽，以及位于所述浅沟槽底面和侧面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第一电极层。相应地，本发明还提供所述CMOS图像传感器的形成方法，以及所述CMOS图像传感器的光电容读取方法。通过本发明所提供的CMOS图像传感器实现了一种全新的光电信号转化方式，提高了CMOS图像传感器的效率，避免了成像滞后的问题。

主权项

一种CMOS图像传感器，包括：p型半导体基底，其特征在于，还包括：位于所述p型半导体基底内的n型阱；位于所述n型阱内的p型阱；位于所述p型阱内的浅沟槽，以及位于所述浅沟槽底面和侧面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第一电极层；还包括：位于所述第一电极层表面的第二介质层，以及位于所述第二介质层表面，且填充满所述浅沟槽的第二电极层。