发明名称 |
高介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明提供一种聚酰亚胺薄膜,它是由式(I)所示结构的聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜后,经亚胺化得到的高介电常数的聚酰亚胺薄膜;其结构如下式(III)所示:其中,R<sub>1</sub>是含芳环的二酐残基;R<sub>2</sub>是含芳环的二胺残基;P<sub>n</sub>是聚苯胺的链段结构;n是聚合物重复单元数,在100至500之间。本发明的聚酰亚胺薄膜具有高介电常数、低介电损耗、耐高温、高强度、高化学稳定性,适合用作高储能的电子器件的介电层。同时本发明的一些柔性聚酰亚胺材料,表现出良好的电致伸缩性能,能够很好地实现电能和机械能的转换。本发明所述的高介电常数的聚酰亚胺薄膜在电子、电机、电能输送行业以及机电能量转换技术领域中都将得到广泛的应用。<img file="DDA0000450000930000011.GIF" wi="1742" he="967" /> |
申请公布号 |
CN103724624B |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201310746333.4 |
申请日期 |
2013.12.30 |
申请人 |
深圳市惠程电气股份有限公司 |
发明人 |
侯豪情;吕晓义;何平 |
分类号 |
C08G73/10(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I |
主分类号 |
C08G73/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京万科园知识产权代理有限责任公司 11230 |
代理人 |
刘俊玲;张亚军 |
主权项 |
一种聚酰胺酸,其特征在于,它是以芳香二胺与芳香二酐为单体,以可溶性聚苯胺为封端剂,经缩聚反应得到的嵌段共聚物,其结构如下式(I)所示:<img file="FDA0000827120690000011.GIF" wi="1694" he="367" />其中,R<sub>1</sub>是含芳环的二酐残基;R<sub>2</sub>是含芳环的二胺残基;P<sub>n</sub>是聚苯胺的链段结构;n是聚合物重复单元数,在100至500之间。 |
地址 |
518118 广东省深圳市坪山新区大工业区兰景北路惠程科技园 |