低功耗静态存储器SRAM

摘要

本发明属于存储器技术领域，提出一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统，包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列，电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压；读写电路，用于当电源电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路；ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列。本发明采用ECC检测处于standby模式下SRAM各个阵列的单元值，在保证hold不出错的情况下尽可能降低阵列的电源电压或者抬高阵列的地线电压，以尽可能降低漏电，实现极低功耗。

主权项

一种减少静态存储器SRAM漏电流的方法，其特征在于，所述静态存储器SRAM包括：读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列；电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压；读写电路用于当电源电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路，另外，读写电路也可将ECC改正的值写入存储单元阵列；ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列；所述方法包括以下步骤：(1)电压调节器控制偏压管把阵列单元的电源电压降低到V0；(2)电源电压恢复到active模式，读写电路读取阵列中单元的内容，然后把所读内容送入至ECC检错纠错电路，若出错，采用ECC纠错，并把改正后的值写回阵列，转到第(4)步；若没有出错，转到第(3)步；(3)采用电压调节器控制偏压管把阵列单元的电源电压降低到比前一次降低的值小ΔV，转到第(2)步；(4)将阵列单元的电源电压增加ΔV，阵列进入standby模式。