发明名称 |
一种有机无机杂化太阳能电池及制备工艺 |
摘要 |
一种有机无机杂化太阳能电池及制备工艺,属于杂化太阳能电池技术领域。整体结构层次依次为透明导电基底、氧化锌晶种层、一维氧化锌和有机半导体材料混合层、有机半导体层和金属薄膜;依据太阳能电池结构进行逐层制备,在金属薄膜时采用胶带掩膜工艺,本发明所得太阳能电池的光电转化效率得到极大的提高。 |
申请公布号 |
CN103078058B |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201310031253.0 |
申请日期 |
2013.01.28 |
申请人 |
北京化工大学 |
发明人 |
陶霞;刘玉;郑言贞;陈建峰 |
分类号 |
H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
一种有机无机杂化太阳能电池的制备方法,其特征在于,有机无机杂化太阳能电池,整体结构层次依次为透明导电基底、氧化锌晶种层、一维氧化锌和有机半导体材料混合层、有机半导体层和金属薄膜;其中导电基底上划分为四部分:1、2、3和4,1部分导电基底的导电层被刻蚀掉,其上结构层次依次为氧化锌晶种层(d)、一维氧化锌(c)和有机半导体材料(b)混合层、有机半导体层(b)和金属薄膜(a);2部分导电基底的导电层(e)上的结构层次为氧化锌晶种层(d)、一维氧化锌(c)和有机半导体材料(b)混合层、有机半导体层(b)和金属薄膜(a),3部分导电基底的导电层(e)上的结构层次为氧化锌晶种层(d)、一维氧化锌(c)和有机半导体材料(b)混合层、有机半导体层(b),4部分导电基底的导电层(e)上则为金属薄膜(a),且4部分的金属薄膜(a)是独立的;包括以下步骤:(1)氧化锌晶种层及一维氧化锌纳米材料的制备:将导电基底一端上的导电层以盐酸溶液刻蚀出一条形状,此部分为导电基底的1,导电基底分别在去离子水、丙酮、异丙醇中超声处理10‑60min;摩尔比为1:1的锌源和氨源加入到乙二醇甲醚中,室温搅拌1‑24h制备晶种溶胶,锌源和氨源的浓度均控制在0.1‑1M;溶胶以1000‑3000rpm旋涂于上述导电基底上,然后在马弗炉中250‑500℃焙烧0.1‑5.0h,冷却至室温得到致密的ZnO晶种层;将涂有晶种层的导电基底倒置于生长液中,80‑95℃下水热反应0.2‑5h,得到ZnO纳米棒薄膜,而后置于马弗炉中于100‑200℃热处理0.2‑5h;水热反应的生长液为摩尔比1:1的锌源和氨源的水溶液,锌源和氨源的浓度均为10‑50mM;(2)旋涂有机半导体:将有机半导体材料超声溶解在溶剂中,配成5‑50mg/ml的溶液,在步骤(2)所得的染料修饰后ZnO纳米棒膜上旋涂,然后置于黑暗密闭的环境中干燥0.2‑10h,干燥过程中有机半导体材料在氧化锌纳米棒间渗透形成活化层;未渗透的部分作为有机半导体层,作为空穴收集层在电池起作用;(3)电池正极和负极的制备:将步骤(2)得到的导电基底的另一端除去其上的氧化锌晶种层、一维氧化锌和有机半导体材料混合层以及有机半导体层,得到导电基底的4,并以胶带遮蔽步骤(2)所得到的有机半导体层上不需要制备金属薄膜的部分,根据需求在上述步骤(2)所制备有机半导体层上留出工作面积,然后在工作面和导电基底的4的导电层上制备金属膜;步骤(1)所述的制备晶种溶胶的锌源为醋酸锌或硝酸锌;氨源为氢氧化四甲铵或乙醇胺;所述的生长液中锌源为硝酸锌或硫酸锌;氨源为环六亚甲基四胺、氨水或氯化铵;步骤(2)所述的溶解有机半导体材料的溶剂为三氯甲烷、邻二氯代苯、氯苯、甲苯、四氢呋喃或二硫化碳。 |
地址 |
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