用于非易失性存储器的刷新架构及算法

摘要

本发明涉及用以刷新例如相变存储器的非易失性存储器装置的方法及系统。在一实施例中，依据系统状态，存储器装置使用有裕度的读取参考电平来执行对存储器单元的第一刷新，或使用无裕度的读取参考电平来执行对经错误校正的存储器单元的第二刷新。

主权项

一种刷新非易失性存储器装置中的存储器单元阵列的方法，所述方法包含：依据系统状态识别符来执行第一刷新及第二刷新，其中执行所述第一刷新进一步包含：对照第一刷新参考电平读取所述存储器单元阵列的单元并重新编程未通过的那些单元；且其中所述第二刷新的所述执行进一步包含：对照不同于所述第一刷新参考电平的第二刷新参考电平读取所述存储器单元阵列的单元并重新编程存储通过错误校正编码算法校正的数据的那些单元，其中在转变到系统接通状态之后即刻执行所述第一刷新，且其中在活动状态期间执行所述第二刷新，在处于所述活动状态时通过存储器控制器单元启用并存取所述存储器装置，且所述系统接通状态为介于其中系统电路正被加电的通电状态与所述活动状态之间的使所有电路被供电的转变状态。