光刻工艺

摘要

本发明公开了一种光刻工艺，如图案化半导体晶圆的光刻。该工艺包括接收其上形成有各种部件和层的入检半导体晶圆。接收单元诱发的重叠(uniiOVL)修正以及对重叠模块中的入检半导体晶圆进行形变测量。通过对形变测量结果应用预定算法，以通过形变测量结果得出形变诱发的重叠(defiOVL)修正。将defiOVL修正和uniiOVL修正前向馈送给曝光模块，然后对入检半导体晶圆进行曝光处理。

主权项

一种光刻工艺，包括：提供光刻系统，所述光刻系统包括曝光模块和重叠模块；在所述光刻系统中接收入检基板；通过所述重叠模块的形变测量工具对所述入检基板进行形变测量，以得到构型变化的精确定量测量；根据所述形变测量得出形变诱发的重叠defiOVL修正；将所述defiOVL修正前馈给所述曝光模块；以及利用所述defiOVL修正，通过所述曝光模块对所述入检基板进行曝光处理。