一种半导体基板光刻工艺

摘要

本发明公开了一种半导体基板光刻工艺，通过在半导体基板上涂覆单层正性光刻胶层，进行曝光、显影，之后涂覆具有水溶性的抗反射涂层，再进行烘焙处理使得光刻胶层回流，最后利用水溶液去除水溶性的抗反射涂层得到了具有缩小线宽的光刻胶型。解决了现有技术中对于某些正性光刻胶而言，回流技术仅可以改变光刻胶型即仅使得光刻胶侧壁变缓，但是线宽不能减小的问题，一方面在不升级设备的前提下，制作出远比设备极限能力要小的光刻线宽，并且工艺简单可靠；二是获得中间线宽小、底部线宽大的光刻胶型，这种胶型有利于干法刻蚀过程中获得具有较缓坡度的图形。

主权项

一种半导体基板光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）对半导体基板进行清洗处理后在其表面涂覆光刻胶层，涂胶后进行前烘处理；（2）对经过前烘处理的半导体基板依次进行曝光、曝光后烘、显影和坚膜处理；（3）在所述光刻胶层上涂覆抗反射涂层；（4）对所述半导体基板进行烘焙处理使光刻胶回流；（5）用水溶液去除抗反射涂层。