| 发明名称 | 晶元处理装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种晶元处理装置，其涉及一种进行化学机械研磨工艺和清洗工艺的晶元处理装置，所述晶元处理装置包括化学机械研磨模块和清洗模块，所述化学机械研磨模块包括：第一研磨盘群，其为排列两个以上研磨盘的第一列；第二研磨盘群，其为与所述第一列隔离排列两个以上研磨盘的第二列，在所述第一研磨盘群和所述第二研磨盘群分别对晶元进行化学机械研磨工艺，所述清洗机模块包括：第一清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第三列；第二清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第四列。从而，所述晶元处理装置具有根据多种处理工艺能够进行不同选择的配置结构。 | ||
| 申请公布号 | CN205122542U | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201520652693.2 | 申请日期 | 2015.08.26 |
| 申请人 | K.C.科技股份有限公司 | 发明人 | 朴钟文;李昇奂;徐埈成;李承恩;尹勤植;安俊镐;田英洙;崔光洛 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I;B24B37/10(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人 | 朱健;陈国军 |
| 主权项 | 一种晶元处理装置，作为进行化学机械研磨工艺和清洗工艺的晶元处理装置，其特征在于，包括化学机械研磨模块和清洗模块，所述化学机械研磨模块包括：第一研磨盘群，其为排列两个以上研磨盘的第一列；第二研磨盘群，其为与所述第一列隔离而排列两个以上研磨盘的第二列，在所述第一研磨盘群和所述第二研磨盘群分别对晶元进行化学机械研磨工艺，所述清洗模块包括：第一清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第三列；第二清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第四列。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安城市 | ||