低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，通过多晶硅层上方的栅极绝缘层的第三高度与多晶硅层上方以外的栅极绝缘层的第二高度相等，其以微影蚀刻制程移除所述第一区域上方的一部分栅极绝缘层，通过所述第一区域上方的所述栅极绝缘层的第一高度下降至第三高度，以使所述第三高度等于所述栅极绝缘层的第二高度，以解决上述接口漏电流以及组件可靠性或是信赖度较差的问题。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：提供一基板；在所述基板上形成一缓冲层，其中所述缓冲层包括第一区域以及第二区域；在所述缓冲层的所述第一区域以及所述第二区域形成一非晶硅层；通过一退火制程对所述非晶硅层进行退火以形成一多晶硅层，并且图案化所述多晶硅层，以于所述缓冲层的第一区域上定义一岛状图案，并且曝露所述缓冲层的第二区域；在相对于所述第一区域的所述岛状图案上以及所述缓冲层的第二区域上形成一栅极绝缘层，其中以所述缓冲层的表面为基准，所述岛状图案上方的所述栅极绝缘层的第一高度大于所述第二区域上方的所述栅极绝缘层的第二高度；以微影蚀刻制程移除所述第一区域上方的一部分栅极绝缘层，通过所述第一区域上方的所述栅极绝缘层的第一高度下降至第三高度，以使所述第三高度等于所述第二高度；在所述岛状图案上方的所述栅极绝缘层上形成一栅极电极；在所述栅极电极两侧下方的所述岛状图案形成源极区以及漏极区，并且在所述源极区以及所述漏极区之间的所述岛状图案形成通道区；在曝露的所述栅极绝缘层上以及所述栅极电极上形成一层间绝缘层；以及在所述层间绝缘层上形成一源极电极以及一漏极电极，分别电性连接所述源极区以及所述漏极区。